Hệ thống RF khuếch đại công suất băng tần C siêu rộng 4-8 GHz 50W

Bộ khuếch đại công suất băng thông rộng 50W này là mô-đun RF hiệu suất cao được thiết kế cho các ứng dụng yêu cầu công suất đầu ra mạnh mẽ trên dải tần số 4GHz đến 8GHz. Sử dụng công nghệ GaN (Gallium Nitride) tiên tiến, nó mang lại mật độ năng lượng cao, hiệu suất tuyệt vời và độ tuyến tính đáng tin cậy trên băng thông tức thời rộng. Bộ khuếch đại được thiết kế để mang lại sự ổn định, độ bền và hiệu suất ổn định trong các môi trường đòi hỏi khắt khe.

Gửi yêu cầu

Mô tả Sản phẩm

Các tính năng chính

Hiệu suất băng thông rộng: Hoạt động liền mạch trên toàn bộ phổ tần 4GHz đến 8GHz (C-Band) mà không cần chuyển đổi băng tần.

Công suất đầu ra cao: Cung cấp công suất đầu ra bão hòa điển hình tối thiểu 50 Watts (47dBm) trên toàn dải.

Mức tăng cao: Có mức tăng tín hiệu nhỏ điển hình là 50dB (tối thiểu), đảm bảo khuếch đại tín hiệu hiệu quả từ các nguồn năng lượng thấp.

Độ phẳng khuếch đại tuyệt vời: Duy trì độ phẳng khuếch đại vượt trội thường là ± 1,5dB trên toàn bộ dải tần để có hiệu suất đồng đều.

Hiệu suất cao: Kết hợp thiết kế hiệu suất cao, thường đạt được 30% Hiệu suất điện năng bổ sung (PAE), giảm tải nhiệt và mức tiêu thụ điện DC.

Hiệu suất tuyến tính mạnh mẽ: Cung cấp điểm nén 1dB cao (OP1dB) thường > 47dBm, hỗ trợ cả khuếch đại tuyến tính và khuếch đại bão hòa cho các sơ đồ điều chế khác nhau.

Bảo vệ & Điều khiển Tích hợp: Bao gồm các tính năng an toàn toàn diện: Bảo vệ điện áp ngược, Tắt máy khi nhiệt độ quá cao và Bảo vệ quá tải đầu ra / Bảo vệ VSWR. Giao diện analog tiêu chuẩn để điều khiển sai lệch, bật/tắt (TTL) và theo dõi trạng thái.

Quản lý nhiệt: Được thiết kế với hệ thống làm mát tấm đế hiệu quả để đảm bảo hoạt động đáng tin cậy trong điều kiện đầy tải. Phạm vi nhiệt độ trường hợp hoạt động: -40°C đến +85°C.

Cấu trúc chắc chắn: Được đặt trong một gói kim loại chắc chắn, kín để có khả năng che chắn và phục hồi môi trường vượt trội, phù hợp cho các ứng dụng quân sự, hàng không vũ trụ và công nghiệp.

KHÔNG.	Sự miêu tả	Biểu tượng	tối thiểu	gõ	Tối đa	Đơn vị	Nhận xét
1.	Tần số hoạt động	BW	4000		8000	MHz
2.	Nguồn đầu vào	Ghim		0		dBm
3.	Công suất đầu ra CW	Psat	47	48.5	49.5	dBm	Sóng liên tục
4.	Tăng sức mạnh	Gp	47		49.5	dBm	@ Pin=0 dBm
5.	Độ phẳng tăng sức mạnh	△Gp		±1,5		dB	@ Pin=0 dBm
6.	Tăng tín hiệu nhỏ	G	49	50.5	52	dB	@ Pin=-5dBm
7.	Độ phẳng của tín hiệu nhỏ	△G		±2		dB	@ Pin=-5dBm
8.	Mất lợi nhuận đầu vào	S11		-15		dB
9.	Điện áp hoạt động	Vdc	28	28	32	V
10.	Mức tiêu thụ hiện tại	A		6	8	A	@ Bĩu môi=50~90W
11.	Nhiệt độ làm việc		-40oC~+50oC
12.	Đầu vào kết nối RF		SMA, Nữ
13.	Đầu ra đầu nối RF		SMA, Nữ
14.	Cân nặng			0.439	0.50	Kg
15.	Chiều dài * Chiều rộng * Chiều cao		1348022			mm
16.	Nguồn đầu vào	PinMax	-5		5	dBm
17.	Định nghĩa giao diện (7W2 Nữ)	VDD	A1	Đất
		GND	A2	28Vdc
		Cảm giác hiện tại	1	Điện áp tương tự so với dòng điện của Mô-đun @ 100mV/A
		Cảm giác nhiệt độ	2	Điện áp tương tự liên quan đến Nhiệt độ của Mô-đun @ 10mV/oC
		Cho phép	3	Kích hoạt bộ khuếch đại			Kích hoạt bộ khuếch đại: Logic TTL cao (3,3V) （Kéo-Thấp bên trong)
		GND	4	Đất
	kích thước tổng thể	Ghi chú: 1、 Kích thước tổng thể chỉ mang tính chất tham khảo; 2、 Kích thước có thể tăng hoặc giảm phù hợp theo yêu cầu của khách hàng； 3、 Vị trí của giao diện đầu vào, giao diện đầu ra và giao diện nguồn điện có thể được thay đổi theo nhu cầu thực tế của khách hàng;

Thẻ nóng: Hệ thống RF khuếch đại công suất siêu rộng C-Band 4-8 GHz 50W, Trung Quốc, nhà sản xuất, nhà cung cấp, bán buôn, nhà máy, tùy chỉnh, thương hiệu, chất lượng, bảo hành 1 năm

Thẻ sản phẩm

Danh mục liên quan